ケミカルクリーン技術

LSIのパターン寸法が0.5μm以下になると、LSIの品質はクリーンルームの浮遊微粒子の粒径と濃度の影響だけでなく、シリコン表面の原子レベルに影響するケミカル成分による汚染が歩留まりを左右します。これらの物質は浮遊微粒子より小さい、分子状・ガス状物質で、対策としてケミカルフィルタによる除去、水による吸着、発生する材料の選定などが行われています。

乾式のケミカルフィルタは交換期間が短く、ランニングコストは非常に高価です。UCASSは滴下水膜方式により気中の分子状汚染物質AMC(アンモニア、二酸化硫黄など)を吸収、除去します。同時に気化式加湿が行われ、蒸気加湿に比べ省エネルギーとなります。