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ケミカル汚染対応スーパークリーンルーム

半導体製造工程では、クリーンルーム雰囲気中に存在するケミカル成分がデバイスに影響を与えることが知られています。当設備はケミカル汚染対策が求められるようになった1997年に建設され、当時としては最高レベルのケミカル汚染対応スーパークリーンルームとして、様々な実験に利用してきました。現在も、清浄化技術や静電気対策技術の研究開発をはじめ、お客様からの依頼実験用クリーンルームとしても利用しています。

施設の概要

室サイズ(単位:m)

5.0×3.0×2.5H(ケミカル室 2.4×1.2×2.5H)

温度

20~25℃±0.2℃

湿度

40~50%±1.0%RH

清浄度

クラス1:10個/m3(対象粒径0.1µm)

特徴

ケミカルガス対応(※測定値は建設当時(枯らし運転後)の値)
フタル酸エステル類(DBP,DOP):定量下限値(0.01µg/m3)以下
シロキサン合量(3量体~6量体):定量下限値(0.01µg/m3)以下
アンモニア:定量下限値(0.04µg/m3)以下

省エネルギー
循環エアシステム:3W/CMM以下
80℃温水によるデシカント除湿(冷水12℃で室内露点8℃)

TECBEAMSによる室内差圧制御

ケミカル汚染対応スーパークリーンルーム 写真

ケミカル汚染対応スーパークリーンルーム

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